3月28日，上海交通大学物理与地理学院教授史志文、以色列特拉维夫大学教授Michael Urbakh、深圳先进技术研讨院教授丁峰和武汉大学教授欧阳稳根协作，开发了一种成长石墨烯纳米带的全新办法，完成超高质量石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式成长，构成“原位封装”的石墨烯纳米带结构，并演示了所成长的石墨烯纳米带可用于构建高功能场效应晶体管器材。相关研讨在线发表于《天然》。
半导体器材的极限功能首要依据半导体材猜中载流子的迁移率。石墨烯是一种由单层碳原子以蜂窝状摆放而成的二维晶体，具有共同的电子能带结构和优异的电子学特性，载流子迁移率可达硅的100倍以上。依据石墨烯的“碳基纳米电子学”有望敞开人类信息社会的新时代。
一起具有带隙和超高迁移率的石墨烯纳米带是碳基纳米电子学的抱负候选资料之一，但可用于半导体器材的高质量石墨烯纳米带的制备问题一直没得到处理。多项研讨标明，石墨烯被氮化硼封装之后，多项功能会得到十分显着提高，但是已有的机械封装法功率很低，难以满意未来先进微电子工业中规模化出产的需求。
为处理以上问题，研讨团队开发了一种全新的制备办法，完成了石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式成长，构成了共同的“原位封装”的半导体性石墨烯纳米带。观测依据成果得出，石墨烯纳米带的成长只发生在催化剂的颗粒处，并且整一个完好的进程中催化剂的方位坚持不变。在此基础上，团队建立了精密的试验模型，对石墨烯纳米带在氮化硼层间的滑移进程进行了体系的分子动力学模仿和第一性原理核算，发现施加相同巨细的推力，纳米带刺进氮化硼层间的间隔明显大于在氮化硼外表的运动间隔，阐明石墨烯纳米带在六方氮化硼原子层间滑移居然比在外表滑移更简单。进一步地，研讨人员依据层间成长的纳米带制备了场效应晶体管（FET）器材，石墨烯纳米带FETs都表现出典型的半导体器材的电学输运特性，器材的载流子迁移率逾越以往报导成果。
